收藏本站
NTR4170N
TYPICAL CHARACTERISTICS
3.5
3.0
2.5
10 V
2.5 V
4.5 V
2.0 V
T J = 25 ° C
1.8 V
7.0
6.0
5.0
V DS ≥ 10 V
2.0
1.5
1.7 V
4.0
3.0
1.0
1.6 V
2.0
T J = 125 ° C
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.5 V
V GS = 1.4 V
2.5 3.0
1.0
0
0.6 0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.8 2.0 2.2
2.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.10
0.08
I D = 3.2 A
T J = 25 ° C
0.08
0.07
0.06
0.05
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.04
V GS = 10 V
0.06
0.04
0.03
0.02
0.01
0.02
1.0 2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.6
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
1000
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5.0
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTR4171PT3G MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
NTR4501NT1 MOSFET N-CHAN 3.2A 20V SOT-23
NTR4502PT1G MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
NTR4503NT3G MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
NTS2101PT1 MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
NTS4001NT1 MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
NTS4101PT1 MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
NTS4172NT1G MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
相关代理商/技术参数
NTR4171P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −3.5 A, Single P−Channel, SOT−23
NTR4171PT1G 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V TR 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTR4171PT3G 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTR4501N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4501NST1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 20V 3.2A 80MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
NTR4501NT1 功能描述:MOSFET 20V 3.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTR4501NT1G 功能描述:MOSFET 20V 3.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTR4501NT1G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTR Series N-Channel 20 V 70 mOhm 1.25 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-23